STGD3NC120H-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.728

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGD3NC120H-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 1200V 16A IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGD3NC120H-1.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.8V @ 15V, 3A
режим для испытаний

800V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

15ns/118ns
Переключение энергии

236µJ (on), 290µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

IPAK (TO-251)
Серии

-
Мощность - Макс

105W
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

24nC
Подробное описание

IGBT 1200V 16A 105W Through Hole IPAK (TO-251)
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

20A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

16A

Ниже приведены продукты, связанные с STGD3NC120H-1.

STGD18N40LZT4

Описание: IGBT 420V 25A 125W DPAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGD3NC120H-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык