STGD7NB120S-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.679

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGD7NB120S-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGD7NB120S-1.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 7A
режим для испытаний

960V, 7A, 1 kOhm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

570ns/-
Переключение энергии

15mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

I-PAK
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

55W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

29nC
Подробное описание

IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

20A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

10A
Номер базового номера

STG*7NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGD7NB120S-1.

STGE200N60K

Описание: IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGD7NB120S-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык