STGW25H120DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

600+

$5.908

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW25H120DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW25H120DF2.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.6V @ 15V, 25A
режим для испытаний

600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

29ns/130ns
Переключение энергии

600µJ (on), 700µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

303ns
Мощность - Макс

375W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-14714-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

100nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

100A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

50A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW25H120DF2.

STGW30H60DF

Описание: IGBT 600V 60A 260W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW25H120DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык