STGW30N120KD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW30N120KD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 1200V 60A 220W TO247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW30N120KD.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

3.85V @ 15V, 20A
режим для испытаний

960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

36ns/251ns
Переключение энергии

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

84ns
Мощность - Макс

220W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-7015-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 125°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

105nC
Подробное описание

IGBT 1200V 60A 220W Through Hole TO-247-3
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

100A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

60A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW30N120KD.

STGW35HF60W

Описание: IGBT 600V 60A 200W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW30N120KD

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык