STGW30H60DFB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$3.68

30+

$3.128

120+

$2.711

510+

$2.308

1020+

$1.946

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW30H60DFB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 60A 260W TO247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW30H60DFB.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 30A
режим для испытаний

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

37ns/146ns
Переключение энергии

383µJ (on), 293µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

53ns
Мощность - Макс

260W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-15133-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

149nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-247
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

120A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

60A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW30H60DFB.

STGW25M120DF3

Описание: IGBT 1200V 50A 375W

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW30H60DFB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык