STGW30NC60KD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$6.43

30+

$5.457

120+

$4.73

510+

$4.026

1020+

$3.396

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW30NC60KD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 60A 200W TO247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW30NC60KD.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.7V @ 15V, 20A
режим для испытаний

480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

29ns/120ns
Переключение энергии

350µJ (on), 435µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

40ns
Мощность - Макс

200W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-7485-5
STGW30NC60KD-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

96nC
Подробное описание

IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

125A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

60A
Номер базового номера

STG*30NC

Ниже приведены продукты, связанные с STGW30NC60KD.

STGW35HF60WDI

Описание: IGBT 600V 60A 200W TO-247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW30NC60KD

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык