202299

STGWT38IH130D

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.81

10+

$4.323

100+

$3.542

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWT38IH130D
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 1300V 63A 250W TO3P
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWT38IH130D.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1300V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.8V @ 15V, 20A
режим для испытаний

960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

-/284ns
Переключение энергии

3.4mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

250W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3P-3 Full Pack
Другие названия

497-12254
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

127nC
Подробное описание

IGBT 1300V 63A 250W Through Hole TO-3P
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

125A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

63A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWT38IH130D.

STGWT30V60F

Описание: IGBT 600V 60A 260W TO3PF

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWT38IH130D

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык