STGWT40H65DFB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.26

30+

$3.615

120+

$3.133

510+

$2.667

1020+

$2.249

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWT40H65DFB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWT40H65DFB.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 40A
режим для испытаний

400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

40ns/142ns
Переключение энергии

498µJ (on), 363µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

62ns
Мощность - Макс

283W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3P-3, SC-65-3
Другие названия

497-14229-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

210nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

160A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

80A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWT40H65DFB.

STGWT20V60DF

Описание: IGBT 600V 40A 167W TO3P-3

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWT40H65DFB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык