STGWT60H65DFB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$5.57

30+

$4.725

120+

$4.095

510+

$3.486

1020+

$2.94

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWT60H65DFB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWT60H65DFB.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 60A
режим для испытаний

400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

51ns/160ns
Переключение энергии

1.09mJ (on), 626µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

60ns
Мощность - Макс

375W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3P-3, SC-65-3
Другие названия

497-14232-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

306nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

240A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

80A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWT60H65DFB.

STGWT40H65FB

Описание: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWT60H65DFB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык