STGB30M65DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.10

10+

$3.681

100+

$3.016

500+

$2.567

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB30M65DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 650V 30A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB30M65DF2.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 30A
режим для испытаний

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

31.6ns/115ns
Переключение энергии

300µJ (on), 960µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

140ns
Мощность - Макс

258W
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-15843-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

80nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

120A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

60A

Ниже приведены продукты, связанные с STGB30M65DF2.

STGB30NC60WT4

Описание: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB30M65DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык