STGB30H65FB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.446

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB30H65FB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Спецификация

1.STGB30H65FB.pdf
2.STGB30H65FB.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 30A
режим для испытаний

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

37ns/146ns
Переключение энергии

151µJ (on), 293µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

HB
Мощность - Макс

260W
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

149nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

120A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

60A

Ниже приведены продукты, связанные с STGB30H65FB.

STGB30H60DLLFBAG

Описание: IGBT

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB30H65FB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык