6419422

STW56N65DM2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$12.08

30+

$9.902

120+

$8.936

510+

$7.487

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STW56N65DM2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 650V 48A
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STW56N65DM2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247
Серии

MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 24A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

360W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-16337-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4100pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

88nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

650V
Подробное описание

N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

48A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STW56N65DM2.

STW60N65M5

Описание: MOSFET N-CH 650V 46A TO-247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STW56N65DM2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык