STW60NE10

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

300+

$4.468

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STW60NE10
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

STW60NE10.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

180W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-2643-5
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5300pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

185nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

N-Channel 100V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

60A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STW60NE10.

STW65N80K5

Описание: MOSFET N-CH 800V 46A

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STW60NE10

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык