STW56NM60N

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$16.19

30+

$13.616

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STW56NM60N
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N CH 600V 45A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STW56NM60N.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247
Серии

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 22.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

300W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-13286-5
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4800pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

150nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 45A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

45A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STW56NM60N.

STW5630/JDR18BDR

Описание: LED 5630 LINEAR STRIP

Производители: Seoul Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STW56NM60N

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык