STW56N65M2-4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$9.39

30+

$7.697

120+

$6.946

510+

$5.82

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STW56N65M2-4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STW56N65M2-4.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-4L
Серии

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 24.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

358W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-4
Другие названия

497-15373-5
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3900pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

93nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

650V
Подробное описание

N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

49A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STW56N65M2-4.

STW58N60DM2AG

Описание: MOSFET N-CH 600V 50A

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STW56N65M2-4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык