4204570

STGB35N35LZ-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.73

10+

$2.454

100+

$1.973

500+

$1.621

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB35N35LZ-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 345V 40A 176W I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB35N35LZ-1.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

345V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A
режим для испытаний

300V, 15A, 5V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

1.1µs/26.5µs
Переключение энергии

-
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

176W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

497-10987-5
STGB35N35LZ-1-ND
STGB35N35LZ1
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Logic
Тип IGBT

-
Заряд затвора

49nC
Подробное описание

IGBT 345V 40A 176W Through Hole I2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

80A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

40A
Номер базового номера

STG*35N

Ниже приведены продукты, связанные с STGB35N35LZ-1.

STGB30V60DF

Описание: IGBT 600V 60A 258W D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB35N35LZ-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык