STGB3NB60FDT4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.53

10+

$1.372

100+

$1.07

500+

$0.884

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB3NB60FDT4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 6A 68W D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

STGB3NB60FDT4.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.4V @ 15V, 3A
режим для испытаний

480V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

12.5ns/105ns
Переключение энергии

125µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

45ns
Мощность - Макс

68W
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-2449-1
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

16nC
Подробное описание

IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

24A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

6A
Номер базового номера

STG*3NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGB3NB60FDT4.

STGB6M65DF2

Описание: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB3NB60FDT4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык