STGB3HF60HD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

2000+

$0.412

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB3HF60HD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 7.5A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB3HF60HD.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A
режим для испытаний

400V, 1.5A, 100 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

11ns/60ns
Переключение энергии

19µJ (on), 12µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

85ns
Мощность - Макс

38W
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

12nC
Подробное описание

IGBT 600V 7.5A 38W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

18A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

7.5A

Ниже приведены продукты, связанные с STGB3HF60HD.

STGB3NB60SDT4

Описание: IGBT 600V 6A 70W D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB3HF60HD

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык