STGWT80H65FB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$11.47

30+

$10.101

120+

$8.90

510+

$7.917

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWT80H65FB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWT80H65FB.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 80A
режим для испытаний

400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

84ns/280ns
Переключение энергии

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

-
Мощность - Макс

469W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3P-3, SC-65-3
Другие названия

497-15141-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

414nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

240A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

120A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWT80H65FB.

STGWT38IH130D

Описание: IGBT 1300V 63A 250W TO3P

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWT80H65FB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык