STGWT80V60DF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$8.72

30+

$7.512

120+

$6.523

510+

$5.68

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWT80V60DF
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWT80V60DF.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.3V @ 15V, 80A
режим для испытаний

400V, 80A, 5 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

60ns/220ns
Переключение энергии

1.8mJ (on), 1mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

60ns
Мощность - Макс

469W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3P-3, SC-65-3
Другие названия

497-14563-5
STGWT80V60DF-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

448nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

240A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

120A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWT80V60DF.

STGWT40H65FB

Описание: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWT80V60DF

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык